1.3 - Numerisches Modell zur Berechnung der Bandverbiegung von Halbleiter-Gas-Sensoren
- Event
- 12. Dresdner Sensor-Symposium 2015
2015-12-07 - 2015-12-09
Hotel Elbflorenz, Dresden - Chapter
- 1. Sensormaterialien
- Author(s)
- P. Bonanati, N. Bârsan, U. Weimar - Universität Tübingen/D
- Pages
- 24 - 25
- DOI
- 10.5162/12dss2015/1.3
- ISBN
- 978-3-9813484-9-1
- Price
- free
Abstract
Jüngste Forschungen haben gezeigt [1], dass bei Dickfilm-Metalloxid-Halbleiter-Gassensoren selbst unter anwendungsnahen Umgebungsbedingungen einen Wechsel des Leitungsmechanismus stattfinden kann. Dieses Phänomen hat u.a. großen Einfluss auf die Empfindlichkeit des Sensors. In dieser Arbeit wurde untersucht welche Konsequenzen aus einem solchen Wechsel resultieren. Anhand unseres Modells werden die Halbleitereigenschaften der Metalloxidschicht numerisch berechnet und die Auswirkungen auf das Sensorverhalten bei einem Wechsel von Verarmungs- zu Anreicherungsschicht vorhersagbar.
Durch den Abgleich der Modelldaten mit realen Messergebnissen lassen sich zusätzlich die sensorrelevant Parameter wie die Dotierungsgrad, Korngöße, Debyelänge und Position des Ferminiveaus bestimmen.