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2.4.3 Herstellung und Charakterisierung von elektro-optischen Bi4Ge3O12-Fasern zur optischen Messung von Hochspannungen

Event
16. GMA/ITG-Fachtagung Sensoren und Messsysteme 2012
2012-05-22 - 2012-05-23
Nürnberg, Germany
Chapter
2.4 Faser- und mikrooptische Sensoren
Author(s)
S. Wildemuth, K. Bohnert, H. Brändler - AAB Schweiz AG, Bäden Dättwil (Schweiz), J. Fourmigue, D. Perrodin - Fibercryst S.A.S., Villeurbanne (Frankreich)
Pages
268 - 272
DOI
10.5162/sensoren2012/2.4.3
ISBN
978-3-9813484-0-8
Price
free

Abstract

Optische Spannungswandler nutzen zumeist den Pockelseffekt in kristallinen Materialien wie z.B. Bi4Ge3O12 (BGO) zur Spannungsmessung aus. In einer gebräuchlichen Klasse von Sensoren wird die volle Nennspannung von bis zu einigen 100 kV an einen relativ kurzen Sensorkristall mit einer Länge von typischerweise 100-200 mm angelegt. Die Länge des Kristalls ist hierbei durch die zur Verfügung stehenden Methoden zur Kristallzucht, wie z. B. Czochralski, beschränkt. In dieser Arbeit beschreiben wir die Herstellung von dünnen, einkristallinen BGO Stäben und Fasern mit einer Länge bis zu 850 mm mittels des so genannten „Micro-pulling down“ Verfahrens. Die optische Qualität dieser Kristalle und ihre Tauglichkeit zur Spannungsmessung wurden untersucht.

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