P18 - Herstellung von Halbleitergassensoren auf SnO2-Basis für die photoaktivierte Messung von Wasserstoff bei niedrigen Betriebstemperaturen

Event
22. GMA/ITG-Fachtagung Sensoren und Messsysteme 2024
2024-06-11 - 2024-06-12
Nürnberg
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Chapter
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Author(s)
I. Weyrauch, R. Breuch, K. Konstantynovski - DLR,Sankt Augustin, P. Kaul - Hochschule Bonn-Rhein-Sieg,Rheinbach
Pages
492 - 494
DOI
10.5162/sensoren2024/P18
ISBN
978-3-910600-01-0
Price
free

Abstract

Die Messung von Wasserstoff und potentiell explosionsfähiger Gasgemische mithilfe von Halbleitergassensoren kann ein Sicherheitsrisiko darstellen, da für solche Sensorsysteme für gewöhnlich hohe Betriebstemperaturen notwendig sind. Durch den Austausch von thermischer durch photonische Aktivierung lässt sich dieses Sicherheitsrisiko jedoch deutlich verringern und Sensoren können annähernd bei Raumtemperatur betrieben werden. In dieser Arbeit wurden Sensoren auf SnO2-Basis nasschemisch hergestellt und während der Gasmessung mit einer UV-LED angeregt. Unter Bestrahlung zeigte sich eine deutlich gesteigerte Sensorreaktion gegenüber Wasserstoff schon bei Betriebstemperaturen von 55 °C

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